中国科学院半导体所在高速直调半导体激光器研究方面取得新进展
近年来,数据中心、智算中心等短距离光通信系统的数据流量呈现爆发式增长。单波长100 Gb/s以上速率的传输技术已在相关系统中实现规模化应用。作为大容量光通信系统的核心光源,InP基高速光发射器件展现出显著的技术优势。其中主流技术之一是采用高速直接调制激光器(D
近年来,数据中心、智算中心等短距离光通信系统的数据流量呈现爆发式增长。单波长100 Gb/s以上速率的传输技术已在相关系统中实现规模化应用。作为大容量光通信系统的核心光源,InP基高速光发射器件展现出显著的技术优势。其中主流技术之一是采用高速直接调制激光器(D
近期,中国科学院半导体研究所裴为华研究员团队在脑机接口核心器件——植入式神经微电极研发方面取得重要突破,开发出一种创新性神经透明电极技术,为神经信号的多模态高分辨采集和在体神经长期记录提供了创新解决方案。